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电子元器件详细资料 » IC[27069] » SI1902DL-T1-GE3
型号:SI1902DL-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C660mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C385 毫欧 @ 660ma,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs1.2nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大270mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SC-70-6
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市川蓝电子科技有限公司彭小姐0755-82522939
瀚佳科技(深圳)有限公司李0755-23915992/23140719
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市壹芯创科技有限公司朱先生0755-82780082
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
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SI1902DL-T1-GE3相关型号

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